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單晶硅拉晶的過程

單晶硅

單晶硅拉制過程主要是分六個步驟:

首先就是一個硅料的熔化過程——晶力的引晶過程——縮頸生長——放肩——收尾。

1、主要它是包括現在加熱器跟碳碳堝幫的匹配上它的高度上的一些關鍵點。

2、拉晶氛圍：整個的一個氛圍全都是氬氣保護的。

3、拉晶氣流：咱們重點說一下拉近拉晶氣流，就是高溫的硅蒸汽是順著熱屏內膽向下流的，氣流從上往下引流。從石英坩堝跟碳碳坩堝的表面走過底部然后抽走的這樣一個氣體的流向，所以這個流向就導致我們現在堝幫的上端部分跟熱屏外膽的就是導流筒的外體部容易受這個高溫硅蒸汽的腐蝕、容易掉渣，因為生成碳化硅以后在升降溫的過程中它就會掉渣，另外就是熱氣吹什么的都會加快腐蝕。

4、拉晶溫度：就是我們都知道熱場還有液面，液面下的溫度是越高越好，液面以上的溫度是越低越好，你保證這個液面以下就是保證硅料是融化的容易結晶，以上它溫度低了以后還是保證盡快的硅棒溫度降下來，然后在提拉的過程中保證住它的強度這是關于溫度控制。

5、熱屏外膽：影響單晶硅品質的一個很重要的因素，因為他是在硅料的上端，在腐蝕的過程中，碳顆粒的脫落包括碳化硅顆粒的脫落都會掉到坩堝里面，所以熱屏的質量是要求非常高的，特別是熱屏外膽的底部要求做的底部的密度要做得非常高，所以我們現在也在考慮把熱屏外膽的底部提前做一個抗腐蝕的碳化硅涂層，進一步提升它的抗腐蝕性能。另外就是說熱屏既是一個導氣的東西，它又是一個隔熱的就是導流筒的存在，一個是降低晶棒的附近的溫度，另外還有引導氬氣流從上部往下流，所以即導流筒又叫隔熱屏，這是叫法的問題。

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